1.電解質タイプとさまざまな影響は何ですか？
酸性系：高亜鉛イオン濃度と急速なイオン移動により、高電流密度の堆積に適しています。均一で細かい結晶を簡単に取得します（スパングルの除去を促進します）。
アルカリ系：亜鉛イオンは複雑な状態に存在し、移動速度が遅くなり、低電流密度に適した比較的粗い結晶をもたらします。
実際の生産では、「高電流効率と容易に制御された結晶化」により、酸性システムが主流になりました。塩化物または硫酸塩システムは、自動車およびホームアプライアンス産業で特に人気があります。
2.電気的な結晶化制御の「コアエンジン」とは何ですか？
ブライトナー：「スパークルフリー」コーティングの鍵。
主にベンジルアセトン、O-クロロベンズアルデヒド、およびポリエチレングリコール誘導体で構成されており、それらは次のように機能します。
また、亜鉛の沈殿過剰を減らし、より多くの核の同時形成を促進し、最終的にナノスケールの細かい結晶を形成します。
明るい濃度は正確に制御する必要があります。濃度が高すぎると脆性コーティングにつながる可能性がありますが、濃度が低すぎると明るさが不十分になり、小さなスパングルが形成されます。
レベリング剤：微視的な表面の不規則性を排除します。
主に硫黄含有化合物は、高電流密度の領域により強く吸着し、亜鉛の堆積を阻害しながら、低電流密度の領域での正常な堆積を可能にし、最終的に表面を滑らかにします。レベリング剤は、基質の傷や穴による傷や穴に引き起こされる局所的な結晶化不均一性を排除し、表面の不均一性が原因で形成される「局所的なスパング」を間接的に防ぐことができます。変位剤：均一な堆積を確保します。たとえば、塩化物系またはアルカリ系のEDTAのNH₄Clは、電解質の導電率とイオン移動の均一性を改善するため、電流濃度のためにストリップの端と角で結晶が粗くなるのを防ぎます。
3.現在のパラメーターはどのように核形成と成長率を調節しますか？
電流密度は、形成された核の数と正の相関があります。
低電流密度：亜鉛イオンの減少率は遅く、少数の核になります。既存の穀物には十分な時間があり、粗結晶の形成につながります。
高電流密度：減少速度は高速であり、多数の亜鉛イオンがカソード表面の電子を同時に取得し、即座に密な核を形成します。これにより、粒子の成長が防止され、最終的にはスパングルのないきめの細かいコーティングが生じます。
実際の生産では、基板の厚さ調整を組み合わせて、高電流による「エッジバーニング」を避けながら堆積効率を確保します。
現在のタイプ：結晶化の均一性に影響します。
DC：従来の方法は、電解質耐性のために不均一な電流分布を起こしやすく、補償するために分散剤を使用する必要があります。
パルス電流：電流とオフ電流の間を交互に、電解質の亜鉛イオンは、電流がオフになったときに低濃度の領域に拡散し、濃度偏光を減らし、より均一な電流分布を達成し、より細かい結晶をもたらします。
4.温度はイオンの拡散と添加活動をどのように調節しますか？
イオン拡散効率：温度の上昇は、電解質の粘度を低下させ、亜鉛イオンの移動を促進し、不十分なイオン供給によって引き起こされる不均一な結晶化の減少を減らします。
添加物の安定性：有機添加物は、しばしば熱に敏感です。過度に高い温度により、それらが分解し、吸着特性を失い、結晶の粗大化につながる可能性があります。過度に低い温度は、過度の添加剤の吸着につながり、ヘイズを引き起こし、コーティングの脆性を増加させる可能性があります。
したがって、イオンの拡散と添加活動のバランスをとるために、電気vanizingは通常、20度から60度の温度で実行されます。
5.基質状態は核形成にどのように影響しますか？
表面の粗さ：基質表面を滑らかにするほど、亜鉛イオン吸着の「活性部位」をより均等に分布させ、より密度の高い核生成につながります。表面の傷や穴は、凹んだ領域で亜鉛イオンの蓄積を簡単に引き起こす可能性があり、その結果、局所的な粗い結晶が生じます。したがって、めっきの前に、表面は漬物と冷却を通して最適化する必要があります。
表面の清潔さ：基質表面のオイル、スケール、および錆は、亜鉛イオンとカソード間の直接的な接触を妨げ、局所的な核生成を防ぎます。覆われていない領域は、電流濃度によるその後の堆積中に「異常な結晶化」につながる可能性があります。したがって、めっきの前に、不純物のない表面を確保するために、アルカリの洗浄、漬物、電解脱脂が必要です。